Мы Вконтакте

N, NK, MJE, CEP

На странице:
AO4404
50 р. за 1 шт.
Отзывов: 0
Полевой транзистор, N-канальный, 30 В 85 А 3 Вт Корпус SO-8..
AO4614(B)
40 р. за 1 шт.
Отзывов: 1
Марка транзистора: AO4614B (АО4614Б ) Структура транзистора: MOSFET Тип управляющего канала: NP Пред..
AP2761 I-A
160 р. за 1 шт.
Отзывов: 1
Структура транзистора: MOSFET Тип управляющего канала: N Предельная постоянная рассеиваемая мощнос..
CEP603AL (N-ch 30V 25A)
Характеристики
Бренд CHINO-EXCEL Technology Corp.
Модель CEP603AL
Тип Хорошее (HQ)
130 р. за 1 шт.
Отзывов: 0
Наименование: CEP603AL (N-ch 30V 25A) Производитель: CHINO-EXCEL Technology Corp. , Ltd. (CET)..
CEP703AL (N-ch 30V 40A)
Характеристики
Бренд CHINO-EXCEL Technology Corp.
Модель CEP703AL
Тип Хорошее (HQ)
100 р. за 1 шт.
Отзывов: 0
Наименование: CEP703AL (N-ch 30V 40A) Производитель: CHINO-EXCEL Technology Corp. , Ltd. (CET)..
CEP83A3
80 р. за 1 шт.
Отзывов: 0
Наименование прибора: CEP83A3 Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощнос..
FDD8447L(DPAK)
30 р. за 1 шт.
Отзывов: 0
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 44 W Предельно допуст..
FDS4935
50 р. за 1 шт.
Отзывов: 1
Технические характеристики FDS4935A FET Feature Logic Level Gate FET Type 2 P-Channel (Dual) Серия ..
25N120AN(AND)
210 р. за 1 шт.
Отзывов: 0
©2004 Fairchild Semiconductor Corporation FGA25N120AN Rev. A IGBT FGA25N120AN FGA25N120AN General De..
60N100(G)(2-21F1A)
450 р. за 1 шт.
Отзывов: 0
FGL60N100BNTD Группа: Транзисторы IGBT Вес: 9.0 грамм Корпус: 2-21F2C Производитель: Параметры / Оп..
12N60SSS Мет.
110 р. за 1 шт.
Отзывов: 0
FQPF12N60C Транзистор полевой N-канальный MOSFET (600В, 12A, 51Вт) Технические характеристики FQPF..
3N60AF(=3NK60ZFP)
60 р. за 1 шт.
Отзывов: 0
FAIRCHILD FQPF3N60 Одиночн.N-канальный Транз. MOSFET 600В.4А, корп.TO-220F ПроизводительFAIRCHILD ..
GT45F122
200 р. за 1 шт.
Отзывов: 0
Транзистор полевой GT45F122 Производитель: Toshiba Технические данные: TO220F(IGBT; 300V; 200A; 25W;..
HD1750FX
Характеристики
Бренд ST Microelectronics
Модель HD1750FX
Тип Оригинал (Original)
260 р. за 1 шт.
Отзывов: 0
Технические параметры Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи..
20N60(65)C3(HGT)(TO-247)
320 р. за 1 шт.
Отзывов: 0
HGTG20N60C3, HGTP20N60C3, HGT1S20N60C3S Rev. B HGTG20N60C3, HGTP20N60C3, HGT1S20N60C3S 45A, 600V, UF..
30N60A (A4,A6) (TO-247A) без диода
240 р. за 1 шт.
Отзывов: 1
HGTG30N60A4, IGBT 600В 75А TO247, Транзистор Технические параметры Структура N-канал Максимальное н..
MJE13001
10 р. за 1 шт.
Отзывов: 1
MJE13001 =KSE13001 TO92 Технические параметры Структура NPN Макс. напр. к-б при заданном обратном т..
MJE13002(to-92)
20 р. за 1 шт.
Отзывов: 0
Группа: Транзисторы биполярные Вес: 0.4 грамм Корпус: TO-92 Коэффициент передачи тока - от 8. Максим..
MJE13003 little(to-126)
Характеристики
Бренд Unisonic Technologies
Модель MJE13003
Тип Оригинал (Original)
20 р. за 1 шт.
Отзывов: 1
MJE13003 TO126 Технические параметры Структура NPN Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и р..
MJE13005
Характеристики
Бренд ST Microelectronics
Модель MJE13005
Тип Хорошее (HQ)
40 р. за 1 шт.
Отзывов: 1
Технические параметры Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи..
MJE13007(A)
Характеристики
Бренд Fairchild Semiconductor
Модель MJE13007A (ST13007)
Тип Оригинал (Original)
50 р. за 1 шт.
Отзывов: 3
MJE13007=ST13007(A) TO220 Технические параметры Структура NPN Макс. напр. к-б при заданном обратном..
MJE13009 (TO-220) мет (KT854A)
Характеристики
Бренд ST Microelectronics
Модель MJE13009 (ST13009)
Тип Хорошее (HQ)
40 р. за 1 шт.
Отзывов: 4
Технические параметры Структура NPN Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи ..
MJE18004pl
Характеристики
Бренд Motorola
Модель MJE18004
Тип Хорошее (HQ)
100 р. за 1 шт.
Отзывов: 0
Основные параметры транзистора MJE18004 биполярного низкочастотного npn. Эта страница показывает су..
MJE18006pl
Характеристики
Бренд Motorola
Модель MJE18006
Тип Хорошее (HQ)
130 р. за 1 шт.
Отзывов: 0
Основные параметры транзистора MJE18006 биполярного низкочастотного npn. Эта страница показывает су..
MJE800
70 р. за 1 шт.
Отзывов: 0
Технические параметры Структура NPN Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи ..
SGB10N60A
80 р. за 1 шт.
Отзывов: 1
Технические характеристики SGB10N60A Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant IGBT..
80N60UFD G
590 р. за 1 шт.
Отзывов: 0
SGH80N60UFD - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики. Наименование: SGH80N6..
47N60C3
690 р. за 1 шт.
Отзывов: 0
SPW47N60C3 Полевой транзистор 600В 47А 70мОм Технические характеристики SPW47N60C3 Lead Free Statu..
2N60Aпласт.(FQPF)
60 р. за 1 шт.
Отзывов: 0
Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 44 Предельно допустимое напряжение сток-ис..
7N60(B)(SSS) пластик
60 р. за 1 шт.
Отзывов: 1
SSS7N60B Полевой транзистор N-канальный MOSFET 600V, 7A MOSFET транзистор SSS7N60B Изготовитель: Fa..
ST1803DFH (TO220)
140 р. за 1 шт.
Отзывов: 0
Транзистор ST1803DFH (MD1803DFH) Маркировка ST1803DFH Производитель STMicroelectronics Комментар..
ST1803DFX (ISOWATT218)(=DHI)
120 р. за 1 шт.
Отзывов: 0
Транзистор ST1803DHI Транзистор биполярный большой мощности Основные характеристики Производитель: ..
ST2310DHI
Характеристики
Бренд ST Microelectronics
Модель ST2310DHI
Тип Хорошее (HQ)
160 р. за 1 шт.
Отзывов: 0
Технические характеристики ST2310DHI Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant Tran..
20NM60(D)(STP)(TO-220F)
190 р. за 1 шт.
Отзывов: 0
STF20NM60D MOSFET transistor datasheet. Parameters and characteristics. Type Designator: STF20NM60D..
10NB37LZ(STGB)(TO263)
Характеристики
Бренд International Rectifier
Тип Хорошее (HQ)
180 р. за 1 шт.
Отзывов: 0
STGB10NB37LZ, IGBT 425В 20А D2PAK Технические параметры Структура n-канал Максимальное напряжение к..
STM8309
Характеристики
Бренд SamHop Microelectronics Corp.
Модель STM8309
Тип Хорошее (HQ)
90 р. за 1 шт.
Отзывов: 0
STM8309, Производититель: SamHop Microelectronics Corp., Тип корпуса: SO-8 ..
10NK60ZFPпласт. (9NK60ZPF, BUZ90AF)
Характеристики
Бренд ST Microelectronics
Модель STP10NK60ZFP (9NK60ZPF, BUZ90AF)
Тип Хорошее (HQ)
100 р. за 1 шт.
Отзывов: 0
STP10NK60ZFP, Mosfet SuperMESH, N-канал, 600 В, 0.65 Ом, 10 А, TO-220FP Технические параметры Стру..
10NK80ZFPпласт. 10A, 800V (2SK1464)
Характеристики
Бренд ST Microelectronics
Модель STP10NK80ZFP (2SK1464)
Тип Хорошее (HQ)
190 р. за 1 шт.
Отзывов: 0
Технические характеристики STP10NK80ZFP Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant С..
11NB40мет.
130 р. за 1 шт.
Отзывов: 0
ТРАНЗИСТОР STP11NB40 TO220..
14NK60ZFPпласт.
160 р. за 1 шт.
Отзывов: 0
STP14NK60ZFP N-channel 600v - 0.45? - 13.5a to-220fp zener-protected supermeshtm power mosfet Техн..
60NF06мет.
50 р. за 1 шт.
Отзывов: 1
STP60NF06 N-канальный 60В, 60А, mosfet Технические характеристики STP60NF06 Rds On (Max) @ Id, Vgs..
6NK60ZPFпл (демонтаж)
Характеристики
Бренд ST Microelectronics
Модель STP6NK60ZFP
Тип Хорошее (HQ)
40 р. за 1 шт.
Отзывов: 0
STP6NK60ZFP PBF TO-220FP Технические параметры Структура N-канал Максимальное напряжение сток-исток..
6NK90Zмет. (6NK80) 6A,900V
Характеристики
Бренд ST Microelectronics
Модель STP6NK90ZFP
Тип Хорошее (HQ)
140 р. за 1 шт.
Отзывов: 0
STP6NK90ZFP TO220 Технические параметры Структура N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В ..
9NK90ZPF (10NK60ZPF)
160 р. за 1 шт.
Отзывов: 0
STP9NK90ZFP PBF TO-220FP Технические параметры Структура N-канал Максимальное напряжение сток-исток ..
Позвонить
Whatsapp
Whatsapp
viber
Viber
telegram
Telegram

 

Быстрый заказ
Пожалуйста, укажите имя и свой номер телефона, чтобы мы могли связаться с Вами

captchacaptchacaptchacaptcha