Транзистор HGTG20N60C3
Цена |
235 р.
|
|
Цена в бонусных баллах: | 235 |
В наличии | 2 шт. |
Отправка заказов производится со склада в
Ростовкой области.
- Стоимость доставки по Тарифам ТК СДЭК (от 250 рублей, сроки - 3-5 дней).
- Стоимость доставки заказа Почтой России ( 300 рублей, сроки - 5-8 дней).
- Бесплатная доставка (на заказы от 2000 рублей, сроки - 3-8 дней).
- Самовывоз: г. Каменск – Шахтинский, Проспект Карла-Маркса, д. 60, сроки - 1 день.
Транзистор HGTG20N60C3
HGTG20N60C3, HGTP20N60C3, HGT1S20N60C3S Rev. BHGTG20N60C3, HGTP20N60C3,
HGT1S20N60C3S
45A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT
This family of MOS gated high voltage switching devices
combining the best features of MOSFETs and bipolar
transistors. These devices have the high input impedance of
a MOSFET and the low on-state conduction loss of a bipolar
transistor. The much lower on-state voltage drop varies only
moderately between 25
The IGBT is ideal for many high voltage switching
applications operating at moderate frequencies where low
conduction losses are essential, such as: AC and DC motor
controls, power supplies and drivers for solenoids, relays
and contactors.
Capability
• Typical Fall Time. . . . . . . . . . . . . . . . 108ns at T J= 150oC
• Short Circuit Rating
• Low Conduction Loss
• Related Literature
- TB334 “Guidelines for Soldering Surface Mount
Components to PC Boards”
Packaging
JEDEC STYLE TO-247
JEDEC TO-220AB (ALTERNATE VERSION)
JEDEC TO-263AB
Написать отзыв
Зарегистрируйся, оставляй отзывы о товаре, зарабатывай бонусы!Ваше Имя:
Ваш отзыв: Внимание: HTML не поддерживается! Используйте обычный текст.
Оценка: Плохо Хорошо