Транзисторы Россия
На странице:
ГТ328
| Характеристики | |
|---|---|
| Бренд | Россия |
| Модель | ГТ328 |
| Тип | Оригинал (Original) |
Характеристики транзистора ГТ328Б
Структура p-n-p
Максимально допустимое (импульсное) напря..
ГТ329
| Характеристики | |
|---|---|
| Бренд | Россия |
| Модель | ГТ329Б |
| Тип | Оригинал (Original) |
Основные технические параметры ГТ329Б:
ГТ329Б
Транзисторы ГТ329Б германиевые планарные структуры n-..
ГТ341
40 р. за 1 шт.
1Т341А
Транзисторы 1Т341А германиевые планарные структуры n-p-n усилительные с нормированным коэффиц..
ГТ403
| Характеристики | |
|---|---|
| Бренд | Россия |
| Модель | ГТ404 |
| Тип | Оригинал (Original) |
ГТ403Б
Транзисторы ГТ403Б германиевые сплавные структуры p-n-p усилительные.
Предназначены для приме..
ГТ703
35 р. за 1 шт.
Основные технические параметры ГТ703Б:
ГТ703Б
Транзисторы германиевые сплавные структуры p-n-p усил..
ГТ806 В
| Характеристики | |
|---|---|
| Бренд | Россия |
| Модель | ГТ806В |
| Тип | Оригинал (Original) |
Характеристики транзистора ГТ806В
Структура p-n-p
Максимально допустимое (импульсное) напряжение кол..
ГТ806 Д
| Характеристики | |
|---|---|
| Бренд | Россия |
| Модель | ГТ806Д |
| Тип | Оригинал (Original) |
Характеристики транзистора ГТ806Д
Структура p-n-p
Максимально допустимое (импульсное) напряжение кол..
ГТ905 А
| Характеристики | |
|---|---|
| Бренд | Россия |
| Модель | ГТ905А |
| Тип | Оригинал (Original) |
Основные технические параметры ГТ905А:
ГТ905А
Транзисторы ГТ905А германиевые диффузионно-сплавные с..
ГТ906 А
| Характеристики | |
|---|---|
| Бренд | Россия |
| Модель | ГТ906А |
| Тип | Оригинал (Original) |
Основные технические параметры ГТ906А:
ГТ906А
Транзисторы ГТ906А германиевые диффузионно-сплавные с..
КП103
| Характеристики | |
|---|---|
| Бренд | Россия |
| Модель | КП103 (2N3329) |
| Тип | Оригинал (Original) |
Полевой транзистор КП103..
КП301
| Характеристики | |
|---|---|
| Бренд | Россия |
| Модель | КП301Б |
| Тип | Оригинал (Original) |
Основные технические параметры КП301Б:
КП301Б
Транзисторы КП301Б кремниевые планарные полевые с изо..
КП303Е
| Характеристики | |
|---|---|
| Бренд | Россия |
| Модель | КП303Е |
| Тип | Оригинал (Original) |
Описание
Структура N-FET
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 25
Максимальный ток сток-исток при..
КП305
| Характеристики | |
|---|---|
| Бренд | Россия |
| Модель | КП305 (MFE3004, 2N4223) |
| Тип | Оригинал (Original) |
Описание
Структура N-FET
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 15
Максимальный ток сток-исток при..
КП809 А
| Характеристики | |
|---|---|
| Бренд | Россия |
| Модель | КП809А-2 |
| Тип | Оригинал (Original) |
Основные технические параметры КП809А-2:
КП809А-2
Транзисторы КП809А-2 кремниевые полевые эпитаксиа..
КП902, 903
| Характеристики | |
|---|---|
| Бренд | Россия |
| Модель | КП902А |
| Тип | Оригинал (Original) |
Основные технические параметры КП902А:
КП902А
Транзисторы кремниевые планарные полевые с изолирован..
КТ104
20 р. за 1 шт.
Условные обозначения электрических параметров биполярного транзистора КТ104А
Обозначение: Параметр
..
КТ201
30 р. за 1 шт.
Структура NPN
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 20
Мак..
КТ203
30 р. за 1 шт.
Описание
Структура PNP
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс)..
КТ209
30 р. за 1 шт.
Транзистор КТ209 - усилительный, эпитаксиально-планарный, кремниевый, структуры p-n-p. Нормируется п..
КТ301
20 р. за 1 шт.
Основные технические параметры КТ301Е:
КТ301Е
Транзисторы КТ301Е кремниевые планарные структуры n-p..
КТ306
30 р. за 1 шт.
Основные технические параметры КТ306А:
КТ306А
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структ..
КТ3102 (2N3904)
| Характеристики | |
|---|---|
| Бренд | Россия |
| Модель | КТ3102 (2N3904) |
| Тип | Оригинал (Original) |
Описание
Структура NPN
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс..
КТ3109
| Характеристики | |
|---|---|
| Бренд | Россия |
| Модель | КТ3109 |
| Тип | Оригинал (Original) |
Основные технические параметры КТ3109А:
КТ3109А
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные стру..
КТ3117
40 р. за 1 шт.
Транзистор: кт3117а(1) кт3117б
Структура n-p-n n-p-n
Pк max 0,3 0,3 Вт
Uкб..
КТ3126
| Характеристики | |
|---|---|
| Бренд | Россия |
| Модель | КТ3126А |
| Тип | Оригинал (Original) |
Основные технические параметры КТ3126А:
КТ3126А
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные стру..
КТ3127
| Характеристики | |
|---|---|
| Бренд | Россия |
| Модель | КТ3127А |
| Тип | Оригинал (Original) |
Характеристики транзистора КТ3127А
Структура p-n-p
Максимально допустимое (импульсное) напр..
КТ313
| Характеристики | |
|---|---|
| Бренд | Россия |
| Модель | КТ313 |
| Тип | Оригинал (Original) |
Описание
Структура PNP
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс)..
КТ315Г
| Характеристики | |
|---|---|
| Бренд | Россия |
| Модель | КТ315 |
| Тип | Оригинал (Original) |
Технические параметры
Структура NPN
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи ..
КТ3157 (BF423)
| Характеристики | |
|---|---|
| Бренд | Россия |
| Модель | КТ3157А (2SA1320, 2SA821, BF423) |
| Тип | Оригинал (Original) |
КТ3157А (2SA1320) (2SA821), Транзистор P-N-P 250В 0.03А 0.2Вт 60Мгц TO92 (КТ-26)
Описание
Структура..
КТ316
35 р. за 1 шт.
Характеристики транзистора КТ316А
Структура n-p-n
Максимально допустимое (импульсное) напря..
КТ337
20 р. за 1 шт.
Технические параметры
Структура pnp
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи ..
КТ339
10 р. за 1 шт.
Основные технические параметры КТ339АМ:
КТ339АМ
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные стру..
КТ345
20 р. за 1 шт.
КТ345Б Транзисторы высокочастотные, кремниевые, маломощные, структуры p-n-p универсальные,
Использу..
КТ347
35 р. за 1 шт.
Основные технические параметры КТ347А:
КТ347А
Транзисторы КТ347А кремниевые эпитаксиально-планарные..
КТ349
40 р. за 1 шт.
Основные технические параметры КТ349Б:
КТ349Б
Транзисторы КТ349Б кремниевые эпитаксиально-планарные..
КТ350
20 р. за 1 шт.
Основные технические параметры КТ350А:
КТ350А
Транзистор КТ350А кремниевый эпитаксиально-планарный ..
КТ358
30 р. за 1 шт.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: Кремний
Структура пол..
КТ361
10 р. за 1 шт.
Технические параметры
Структура PNP
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи ..
КТ372
65 р. за 1 шт.
Основные технические параметры КТ372А:
КТ372А
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структ..
КТ501
| Характеристики | |
|---|---|
| Бренд | Россия |
| Модель | КТ501К |
| Тип | Оригинал (Original) |
Характеристики транзистора КТ501К
Структура p-n-p
Максимально допустимое (импульсное) напря..
КТ502Е
| Характеристики | |
|---|---|
| Бренд | Россия |
| Модель | КТ502 |
| Тип | Оригинал (Original) |
Технические параметры
Структура pnp
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи..
КТ503Е
| Характеристики | |
|---|---|
| Бренд | Россия |
| Модель | КТ503 |
| Тип | Оригинал (Original) |
Характеристики транзистора КТ503Г:
Структура n-p-n
Максимально допустимое (импульсное) напряжение к..
КТ601 - 605 мет.
40 р. за 1 шт.
КТ601А
Транзисторы КТ601А кремниевые диффузионные структуры n-p-n усилительные.
Предназначены для пр..
КТ603 А-Е
| Характеристики | |
|---|---|
| Бренд | Россия |
| Модель | КТ603А |
| Тип | Оригинал (Original) |
Транзисторы 2Т603А, 2Т603Б, 2Т603В, 2Т603Г, 2Т603И, КТ603А, КТ603Б, КТ603В, КТ603Г, КТ603Д, КТ603Е, ..
КТ604 АМ
20 р. за 1 шт.
Основные технические параметры КТ604АМ:
КТ604АМ
Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры n-p-..
КТ605 АМ
50 р. за 1 шт.
Основные технические параметры КТ605АМ:
КТ605АМ
Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры n-p-..
КТ606 А
| Характеристики | |
|---|---|
| Бренд | Россия |
| Модель | КТ606А |
| Тип | Оригинал (Original) |
Основные технические параметры КТ606А:
КТ606А
Транзисторы КТ606А кремниевые эпитаксиально-планарные..
КТ611
| Характеристики | |
|---|---|
| Бренд | Россия |
| Модель | КТ611БМ |
| Тип | Оригинал (Original) |
Основные технические параметры КТ611БМ:
КТ611БМ
Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры n-p-..
КТ626
| Характеристики | |
|---|---|
| Бренд | Россия |
| Модель | КТ626А |
| Тип | Оригинал (Original) |
Основные технические параметры КТ626А:
КТ626А
Транзисторы КТ626А кремниевые эпитаксиально-планарные..
КТ629А-2
40 р. за 1 шт.
Технические параметры
Структура pnp
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи ..
КТ704 А
| Характеристики | |
|---|---|
| Бренд | Россия |
| Модель | КТ704А |
| Тип | Оригинал (Original) |
Основные технические параметры КТ704А:
КТ704А
Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры n-p-n ..
КТ801А
20 р. за 1 шт.
КТ801А
Транзисторы КТ801А кремниевые сплавно-диффузионные структуры n-p-n переключательные.
Предназн..
КТ807
| Характеристики | |
|---|---|
| Бренд | Россия |
| Модель | КТ807Б |
| Тип | Оригинал (Original) |
Характеристики транзистора КТ807Б
Структура n-p-n
Максимально допустимое (импульсное) напря..
КТ8136А
30 р. за 1 шт.
Характеристики транзистора КТ8136А
Структура n-p-n
Максимально допустимое (импульсное) напр..
КТ814
| Характеристики | |
|---|---|
| Бренд | Россия |
| Модель | КТ814Г (BD140) |
| Тип | Оригинал (Original) |
КТ814Г (BD140), Транзистор PNP, низкочастотный, большой мощности, TO-126 (КТ-27)
Описание
Структура..
КТ815
| Характеристики | |
|---|---|
| Бренд | Россия |
| Модель | КТ815Г |
| Тип | Оригинал (Original) |
КТ815Г (BD139), Транзистор NPN, низкочастотный, большой мощности, TO-126 (КТ-27)
Описание
Структура..
КТ816Г
| Характеристики | |
|---|---|
| Бренд | Россия |
| Модель | КТ816Г (BD238) |
| Тип | Оригинал (Original) |
КТ816Г (BD238), Транзистор PNP, низкочастотный, большой мощности, TO-126 (КТ-27)
Описание
Структура..
КТ817
| Характеристики | |
|---|---|
| Бренд | Россия |
| Модель | КТ817Г |
| Тип | Оригинал (Original) |
КТ817Г (BD237), Транзистор N-P-N 100В 3А 25Вт 3Мгц TO126
Описание
Структура NPN
Макс. напр. к-э при..
КТ825Г
| Характеристики | |
|---|---|
| Бренд | Россия |
| Модель | КТ825Д |
| Тип | Оригинал (Original) |
Структура PNP
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 60
Мак..
КТ826 А
| Характеристики | |
|---|---|
| Бренд | Россия |
| Модель | КТ826А |
| Тип | Оригинал (Original) |
Технические параметры
Структура NPN
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи ..
КТ827 А
| Характеристики | |
|---|---|
| Бренд | Россия |
| Модель | КТ827А |
| Тип | Оригинал (Original) |
Основные технические параметры КТ827А:
КТ827А
Транзисторы кремниевые эпитаксиальные мезапланарные с..
КТ835
| Характеристики | |
|---|---|
| Бренд | Россия |
| Модель | КТ835А |
| Тип | Оригинал (Original) |
Характеристики транзистора КТ835А
Структура p-n-p
Максимально допустимое (импульсное) напря..
КТ837
| Характеристики | |
|---|---|
| Бренд | Россия |
| Модель | КТ837 |
| Тип | Оригинал (Original) |
Структура p-n-p
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 45 В
Макси..
КТ844 А
| Характеристики | |
|---|---|
| Бренд | Россия |
| Модель | КТ844А |
| Тип | Оригинал (Original) |
Основные технические параметры КТ844А:
КТ844А
Транзисторы КТ844А кремниевые эпитаксиально-планарные..
КТ848 А (КТ 897А)
| Характеристики | |
|---|---|
| Бренд | Россия |
| Модель | КТ848А |
| Тип | Оригинал (Original) |
Основные технические параметры КТ848А:
КТ848А
Транзисторы КТ848А кремниевые мезапланарные структуры..
КТ852
| Характеристики | |
|---|---|
| Бренд | Россия |
| Модель | КТ852Б |
| Тип | Оригинал (Original) |
Характеристики транзистора КТ852Б
Структура p-n-p
Максимально допустимое (импульсное) напря..
КТ854А (MJE13009)
| Характеристики | |
|---|---|
| Бренд | Россия |
| Модель | КТ854А (MJE13009) |
| Тип | Оригинал (Original) |
Основные технические параметры КТ854А:
КТ854А
Транзисторы КТ854А кремниевые эпитаксиально-планарные..
КТ855
| Характеристики | |
|---|---|
| Бренд | Россия |
| Модель | КТ855А |
| Тип | Оригинал (Original) |
Характеристики транзистора КТ855А
Структура p-n-p
Максимально допустимое (импульсное) напря..
КТ857
| Характеристики | |
|---|---|
| Бренд | Россия |
| Модель | КТ857А |
| Тип | Оригинал (Original) |
Характеристики транзистора КТ857А
Структура n-p-n
Максимально допустимое (импульсное) напря..
КТ858 (2SC2335 мет)
| Характеристики | |
|---|---|
| Бренд | Россия |
| Модель | КТ858А (2SC2335 мет) |
| Тип | Оригинал (Original) |
Основные технические параметры КТ858А:
КТ858А
Транзистор КТ858А кремниевый эпитаксиально-планарный ..
КТ859
| Характеристики | |
|---|---|
| Бренд | Россия |
| Модель | КТ859 |
| Тип | Оригинал (Original) |
Описание
Структура NPN
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс)..
КТ898А1
| Характеристики | |
|---|---|
| Бренд | Россия |
| Модель | КТ898А1 |
| Тип | Оригинал (Original) |
Основные технические параметры КТ898А-1:
КТ898А-1
Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры n-..
КТ903 А
| Характеристики | |
|---|---|
| Бренд | Россия |
| Модель | КТ903Б |
| Тип | Оригинал (Original) |
Основные технические параметры КТ903Б:
КТ903Б
Транзисторы КТ903Б кремниевые мезапланарные структуры..
КТ9115
35 р. за 1 шт.
Основные технические параметры КТ9115А:
КТ9115А
Транзисторы КТ9115А кремниевые эпитаксиально-планар..
КТ920 Б,В,Г
245 р. за 1 шт.
Технические параметры
Структура
NPN
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи ..
КТ933А
50 р. за 1 шт.
КТ933А
Транзисторы КТ933А, КТ933Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные.
П..
КТ935А
160 р. за 1 шт.
Транзисторы КТ935А кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные.
Предназн..
КТ940 (BF459)
25 р. за 1 шт.
Основные технические параметры КТ940А:
КТ940А
Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры n-p-n ..
КТ943Г
30 р. за 1 шт.
Транзисторы КТ943 - кремниевые, мощные, высокочастотные усилительные, структуры - n-p-n.
Корпус плас..
КТ969
10 р. за 1 шт.
КТ969А, Транзистор NPN 250В 0.1А 6Вт [TO126]
Технические параметры
Структура npn
Макс. напр. к-б пр..
КТ972 (КТ 8131Б)
45 р. за 1 шт.
Описание
Структура NPN
Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В..
КТ973
| Характеристики | |
|---|---|
| Бренд | Россия |
| Модель | КТ973А |
| Тип | Оригинал (Original) |
Основные технические параметры КТ973А:
КТ973А
Транзисторы КТ973А кремниевые эпитаксиально-планарные..
МП25,37-42
20 р. за 1 шт.
МП21Е
Транзисторы МП21Е германиевые сплавные p-n-p переключательные низкочастотные маломощные.
Предн..
П210Ш
385 р. за 1 шт.
Основные технические параметры П210Ш:
Транзисторы П210Ш германиевые сплавные структуры p-n-p универ..
П213 - П 217
30 р. за 1 шт.
Основные технические параметры П213Б:
П213Б
Транзисторы П213Б германиевые сплавные структуры p-n-p ..
П601АИ
50 р. за 1 шт.
Транзистор п601аи p-n-p, 30в, 1.5А, 0.5Вт, h21э 40…100 , 20МГц, Тmax-50…+60 биполярный, германий.
Д..
Показано с 1 по 87 из 87 (всего 1 страниц)
Транзисторами называют устройства, имитирующие основное свойство транзистора – изменять сигнал между двумя различными состояниями в тот момент, когда изменяется сигнал на управляющем электроде. Транзисторы нашли широкое применение, сегодня они применяются в усилительных схемах, электронных ключах, генераторах сигналов, а также в качестве активных элементов в переключательных и усилительных каскадах. Приобрести отечественные транзисторы сегодня можно у нас. Доступные цены и высокое качество – вот что в первую очередь характеризует радиоэлементы, представленные в нашем магазине.
