ST Microelectronics
DB3
8 р.
DB3 диак (динистор) DO-35
Технические параметры
Напряжение в открытом состоянии(Iоткр 0.2А),В 5
Мак..
1,5KE200A
42 р.
1.5KE200CA, Защитный диод двунаправленный, 1500Вт, 200В, [DO-201]
Технические параметры
Тип 1.5kе
П..
1,5KE220A
40 р.
1.5KE220A, Защитный диод 220В
Описание
Тип 1.5KE
Мощность Р, Вт 1500
Номинальное напряжение открыван..
1,5KE33A
22 р.
1.5KE33CA, Защитный диод, 1500Вт, 33В, DO-201
Описание
Тип 1.5KE
Мощность Р, Вт 1500
Номинальное на..
1,5KE400A
50 р.
1.5KE400CA, Защитный диод, 1500Вт, 400В, DO-201
Технические параметры:
Тип 1.5KЕ
Пиковая мощность, ..
1,5KE56CA
28 р.
1.5KE56CA, Защитный диод двунаправленный
Технические параметры
Тип 1.5kе
Минимальное напряжение отк..
10A10
18 р.
10A10 - низкочастотный выпрямительный диод.
Основные характеристики 10A10:
Uобр.max (постоянное) 10..
150EBU02
782 р.
VS-150EBU02, Диод 200В 150А 45нс PowerTab
Технические параметры
Материал кремний
Максимальное посто..
1N4007
4 р.
1N4007 (КД243Ж), Диод выпрямительный 1А 1000В DO41
Описание
Тип диода выпрямительный диод
Максималь..
1N4148
2 р.
Диод 150мА 100В КД522А DO-35
Описание
Отечественный аналог КД522А.
Тип диода импульсный диод
Макси..
1N4937
10 р.
Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, t=250ns, -55 to +150C)
Технические характеристики 1N49..
1N5408
10 р.
1N5408, Диод выпрямительный 3А 1000В DO201AD
Описание
Тип диода выпрямительный диод
Максимальное по..
1N5819
8 р.
1N5819, Диод Шоттки 40В 1А/25А DO-41
Описание
Тип диода диод Шоттки
Максимальное постоянное обратно..
1N5822
18 р.
1N5822, Диод Шоттки 40В 3А/80А
Описание
Тип диода диод Шоттки
Максимальное постоянное обратное напр..
30CPQ060
263 р.
30CPQ060, 2 диода Шоттки 30А 60В TO247AC
Технические параметры
Материал
кремний
Максимальное постоя..
30CPQ100
279 р.
30CPQ100, 2 диода Шоттки 30А 100В TO247
Технические параметры
Материал
кремний
Максимальное постоян..
30EPH06
346 р.
Диод 30А 600В 28нс ТО247-2
Технические параметры
Материал
кремний
Максимальное постоянное обратное ..
40CPQ045
290 р.
40CPQ045, 2 диода Шоттки 40А 45В TO247
Технические параметры
Материал кремний
Максимальное постоянн..
40CPQ100
256 р.
40CPQ100, 2 диода Шоттки 40А 100В TO247
Технические параметры
Материал кремний
Максимальное постоя..
40EPF12
509 р.
40EPF12, Диод 40А 1200В 95нс ТО247-2
Описание
Диод выпрямительный
Кол-во в упаковке: 25, корпус: T..
BY359-1500
174 р.
BY359-1500, Диод выпрямительный 10А 1500В 600нс SOD59/TO220AC
Технические параметры
Материал
кремни..
DGP30
74 р.
Группа: Диоды
Вес: 1.0 грамм
Корпус: SOD-64
Производитель: NXP/PH
Параметры / Описание: Диод 3A, 150..
FR207
6 р.
Диод из серии диодов с уменьшенным временем восстановления (Fast Recovery).
Основные характеристики ..
FR307
10 р.
Диод из серии диодов с уменьшенным временем восстановления (Fast Recovery). Выполнен в пластмассовом..
FR607
14 р.
Диод из серии диодов с уменьшенным временем восстановления (Fast Recovery).
Основные характеристи..
HER308
30 р.
HER308, Диод 3А 1000 В DO-27
Описание
Тип диода 2 диода с общим катодом
Максимальное постоянное обр..
HER508
18 р.
Диод 1000V 5A 75ns высоко-эффективный
ОСОБЕННОСТИ:
• Низкое прямое падение напряжения
• Номинальное..
HVM-15C72
277 р.
Диод HVM15C72 (15кВ,350mA/50mA) SOT23
Рабочая температура,С -20 С
Максимальное постоянное обратное ..
HVR2X062
224 р.
HVR-2X062H, Высоковольтный диод
Описание
ДИОДЫ\Высоковольтные диоды
Технические параметры
Материал..
MBR10100(C,CT)
48 р.
MBR10100CT Сдвоенный, с общим катодом, высоковольтный диод Шотки
Основные параметры
Кол-во диодов ..
MBR10200(C,CT)
120 р.
Технические параметры
размеры 10.5 x 4.76 x 16mm
Diode Type Schottky
высота 16mm
длина 10.5mm
Maximu..
MBR20100CT
60 р.
MBR20100CT(K), 2 диода Шоттки 20А 100В
Технические параметры
Материал кремний
Максимальное постоянн..
SS34
4 р.
SS34, Диод Шоттки 40В 3А
Технические параметры
Конфигурация Диода Single
Максимальное Значение Напр..
STTH2003CFP
220 р.
STTH2003CFP
Диод быстродействующий (25-35nS)
корпус: TO-220
..
STTH2003CG(D2PAK)
288 р.
STTH2003CG-TR, D2Pak
Описание
Диод быстродействующий (25-35nS)
корпус: D2PAK
Технические параметр..
STTH3002CW(TO-247)
381 р.
Технические характеристики:
Current - Reverse Leakage @ Vr 40µA @ 300V
Voltage - Forward (Vf) (Max)..
STTH6003CW(TO-247)
408 р.
Материал кремний
Максимальное постоянное обратное напряжение, В 300
Максимальное импульсное обратное..
STV8130A
107 р.
STV8130A, Стабилизатор напряжения 3.3В/0.75А, 2.8-16В/0.75А, DISABLE-2out, RESET
DESCRIPTION
The ST..
BT131-600
18 р.
BT131-600 TO92
Технические параметры
Максимальное обратное напряжение Uобр.,В 600
Макс. повторяюще..
BT134-600E(D)
35 р.
BT134-600E.127, Симистор 4А 600В [SIP-3 / SOT-82]
Технические параметры
Максимальное обратное напря..
BT136-600(B,D,E)
53 р.
BT136-600E.127, Симистор 4А 600В 10мА [TO-220AB / SOT-78]
Технические параметры
Максимальное обратн..
BT137-600(E)
59 р.
BT137-600E, Симистор средней мощности
Технические параметры
Максимальное обратное напряжение Uобр...
BT138-800(E)
53 р.
BT138-800,127, Симистор 8А 800В 35мА, [TO-220AB / SOT-78]
Технические параметры
Серия BT138
Тип си..
BT139-800(E)
44 р.
Группа: Тиристоры и симисторы
Вес: 2.9 грамм
Корпус: TO-220F
Производитель: NXP/PH
Параметры / Описа..
BTA10-600C
111 р.
BTA10-600C Симистор на 10 ампер 600 вольт, не изолированный корпус
Технические характеристики BTA1..
BTA12-600B
76 р.
BTA12-600B TO220
Технические параметры
Максимальное обратное напряжение Uобр.,В 600
Макс. повторяющ..
BTA16-600B(BWRG)
124 р.
BTA16-600B TO220
Технические параметры
Максимальное обратное напряжение Uобр.,В 600
Макс. повторяющ..
BTA24-800BWRG
124 р.
Симистор BTA24-800BWRG
Технические параметры
Максимальное обратное напряжение Uобр.,В 800
Макс. пов..
BTA26-600
217 р.
BTA26-600B PBF TO218
Технические параметры
Максимальное обратное напряжение Uобр.,В 600
Макс. повто..
BTA41-800(B)
168 р.
Симистор BTA41-800B
Технические параметры
Максимальное обратное напряжение Uобр.,В 800
Макс. повтор..
BTB04-600(SL)
62 р.
Datasheet BTB04-600T производства STMicroelectronics
Маркировка BTB04-600T
Описание SENSITIVE GATE..
BTB12-700C(CRG)
109 р.
BTB 12-700CRG, Симистор, 700V, 12A, TO-220AB
Технические характеристики BTB12-700C
Тип монтажа Выв..
BTB16-800BWRG
62 р.
Описание
Тиристор дискретный
корпус: TO-220AB..
BT149B
45 р.
BT149D.126, Тиристор 0.8А 400В 0.2мА, [TO-92 / SOT-54A]
Технические параметры
Максимальное обратное..
BT152-800R
115 р.
BT152-800R, Тиристор 20А 800В 32мА
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
SCR T..
20NM60(D)(STP)(TO-220)
109 р.
STF20NM60D MOSFET transistor datasheet. Parameters and characteristics.
Type Designator: STF20NM60D..
20NM60F(FP)(STP,P)(TO-220F) изолированный
233 р.
STP20NM60FP, Транзистор, MDmesh, N-канал, 600В 20А, [TO-220FP]
Type Designator: STF20NM60FP
Type of..
Показано с 1 по 58 из 58 (всего 1 страниц)
