NXP Semiconductor
BT151-800R(R/B)
75 р.
Технические параметры
Максимальное обратное напряжение Uобр.,В 800
Макс. повторяющееся импульсное на..
FOR3G
106 р.
FOR3G, Производититель: Toshiba, Тип корпуса: TO-92, 9,9 A 400 В..
MAC97A6(8) (BT131-600)
10 р.
Симистор MAC97A6(8) = BT131-600
Технические параметры
Максимальное обратное напряжение Uобр.,В 400
..
MCR100-8
22 р.
Технические параметры
Максимальное обратное напряжение Uобр.,В 600
Макс. повторяющееся импульсное на..
MCR22-8
19 р.
MCR22-8
SCR 600V, 1.5A, Igt=0.2mA
Технические характеристики MCR22-8
Current - Off State (Max) 1..
Т122-32-12 (10А,1200 В)
521 р.
Тиристор низкочастотный штыревого исполнения.
Предназначен для работы в преобразовательных устройств..
Показано с 1 по 6 из 6 (всего 1 страниц)
