N, NK, MJE, CEP
На странице:
30F124(TO220F)
193 р. за 1 шт.
IGBT, Icp=200A, Vce(sat)=2,3V, Pd=25W, V(br)ceo=300V
GBT 30F124 — это высоковольтный и сильноточный..
AO4404
75 р. за 1 шт.
Полевой транзистор, N-канальный, 30 В 85 А 3 Вт
Корпус SO-8..
AO4614(B)
56 р. за 1 шт.
Марка транзистора: AO4614B (АО4614Б )
Структура транзистора: MOSFET
Тип управляющего канала: NP
Пред..
AP2761 I-A
211 р. за 1 шт.
Структура транзистора: MOSFET
Тип управляющего канала: N
Предельная постоянная рассеиваемая мощнос..
CEP603AL (N-ch 30V 25A)
| Характеристики | |
|---|---|
| Для бренда | CHINO-EXCEL Technology Corp. |
| Модель | CEP603AL |
| Тип | Хорошее (HQ) |
Наименование: CEP603AL (N-ch 30V 25A)
Производитель: CHINO-EXCEL Technology Corp. , Ltd. (CET)..
CEP703AL (N-ch 30V 40A)
| Характеристики | |
|---|---|
| Для бренда | CHINO-EXCEL Technology Corp. |
| Модель | CEP703AL |
| Тип | Хорошее (HQ) |
Наименование: CEP703AL (N-ch 30V 40A)
Производитель: CHINO-EXCEL Technology Corp. , Ltd. (CET)..
D209L(TO218,TO-3P)
| Характеристики | |
|---|---|
| Единиц в одном товаре | 1 |
Наименование производителя: D209L
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощ..
FDD8447L(DPAK)
35 р. за 1 шт.
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 44 W
Предельно допуст..
FDS4935
56 р. за 1 шт.
Технические характеристики FDS4935A
FET Feature Logic Level Gate
FET Type 2 P-Channel (Dual)
Серия ..
25N120AN(AND)
307 р. за 1 шт.
©2004 Fairchild Semiconductor Corporation
FGA25N120AN Rev. A
IGBT
FGA25N120AN
FGA25N120AN
General De..
60N100(G)(2-21F1A)
698 р. за 1 шт.
FGL60N100BNTD
Группа: Транзисторы IGBT
Вес: 9.0 грамм
Корпус: 2-21F2C
Производитель:
Параметры / Оп..
12N60SSS Мет.
145 р. за 1 шт.
FQPF12N60C Транзистор полевой N-канальный MOSFET (600В, 12A, 51Вт)
Технические характеристики FQPF..
3N60AF(=3NK60ZFP)
100 р. за 1 шт.
FAIRCHILD FQPF3N60
Одиночн.N-канальный Транз. MOSFET 600В.4А, корп.TO-220F
ПроизводительFAIRCHILD
..
GT45F122
357 р. за 1 шт.
Транзистор полевой GT45F122
Производитель:
Toshiba
Технические данные:
TO220F(IGBT; 300V; 200A; 25W;..
HD1750FX
| Характеристики | |
|---|---|
| Для бренда | ST Microelectronics |
| Модель | HD1750FX |
| Тип | Оригинал (Original) |
Технические параметры
Структура npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи..
20N60(65)C3(HGT)(TO-247)
233 р. за 1 шт.
HGTG20N60C3, HGTP20N60C3, HGT1S20N60C3S Rev. B
HGTG20N60C3, HGTP20N60C3,
HGT1S20N60C3S
45A, 600V, UF..
30N60A (A4,A6) (TO-247A) без диода
318 р. за 1 шт.
HGTG30N60A4, IGBT 600В 75А TO247, Транзистор
Технические параметры
Структура N-канал
Максимальное н..
MJE13001
10 р. за 1 шт.
MJE13001 =KSE13001 TO92
Технические параметры
Структура
NPN
Макс. напр. к-б при заданном обратном т..
MJE13002(to-92)
19 р. за 1 шт.
Группа: Транзисторы биполярные
Вес: 0.4 грамм
Корпус: TO-92
Коэффициент передачи тока - от 8.
Максим..
MJE13003 little(to-126)
| Характеристики | |
|---|---|
| Для бренда | Unisonic Technologies |
| Модель | MJE13003 |
| Тип | Оригинал (Original) |
MJE13003 TO126
Технические параметры
Структура
NPN
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и р..
MJE13005
| Характеристики | |
|---|---|
| Единиц в одном товаре | 1 |
Технические параметры
Структура npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи..
MJE13007(A)
| Характеристики | |
|---|---|
| Единиц в одном товаре | 1 |
MJE13007=ST13007(A) TO220
Технические параметры
Структура NPN
Макс. напр. к-б при заданном обратном..
MJE13009 (TO-220) мет (KT854A)
| Характеристики | |
|---|---|
| Для бренда | ST Microelectronics |
| Модель | MJE13009 (ST13009) |
| Тип | Хорошее (HQ) |
Технические параметры
Структура NPN
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи ..
MJE18004pl
| Характеристики | |
|---|---|
| Для бренда | Motorola |
| Модель | MJE18004 |
| Тип | Хорошее (HQ) |
Основные параметры транзистора MJE18004 биполярного низкочастотного npn.
Эта страница показывает су..
MJE18006pl
| Характеристики | |
|---|---|
| Для бренда | Motorola |
| Модель | MJE18006 |
| Тип | Хорошее (HQ) |
Основные параметры транзистора MJE18006 биполярного низкочастотного npn.
Эта страница показывает су..
MJE3055T
| Характеристики | |
|---|---|
| Единиц в одном товаре | 1 |
Технические параметры
Структура npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи..
MJE800
83 р. за 1 шт.
Технические параметры
Структура
NPN
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи ..
50N06FQP(=RFP=50E06) метал = (55NF06MTP, IRFZ48N)
78 р. за 1 шт.
RFP50N06 Транзистор полевой N-MOS, 60В, 50A
Технические характеристики RFP50N06
Lead Free Status ..
SGB10N60A
| Характеристики | |
|---|---|
| Единиц в одном товаре | 1 |
Технические характеристики SGB10N60A
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
IGBT..
47N60C3
1033 р. за 1 шт.
SPW47N60C3 Полевой транзистор 600В 47А 70мОм
Технические характеристики SPW47N60C3
Lead Free Statu..
2N60Aпласт.(FQPF)
81 р. за 1 шт.
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 44
Предельно допустимое напряжение сток-ис..
7N60(B)(SSS) пластик
55 р. за 1 шт.
SSS7N60B Полевой транзистор N-канальный MOSFET 600V, 7A
MOSFET транзистор SSS7N60B
Изготовитель: Fa..
ST1803DFH (TO220)
242 р. за 1 шт.
Транзистор ST1803DFH (MD1803DFH) NPN, 1500V, TO-220FH
Производитель STMicroelectronics
Комментарий ..
ST2310DHI
| Характеристики | |
|---|---|
| Для бренда | ST Microelectronics |
| Модель | ST2310DHI |
| Тип | Хорошее (HQ) |
Технические характеристики ST2310DHI
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Tran..
20NM60(D)(STP)(TO-220)
109 р. за 1 шт.
STF20NM60D MOSFET transistor datasheet. Parameters and characteristics.
Type Designator: STF20NM60D..
20NM60F(FP)(STP,P)(TO-220F) изолированный
| Характеристики | |
|---|---|
| Единиц в одном товаре | 1 |
STP20NM60FP, Транзистор, MDmesh, N-канал, 600В 20А, [TO-220FP]
Type Designator: STF20NM60FP
Type of..
10NK60ZFPпласт. (9NK60ZPF, BUZ90AF)
| Характеристики | |
|---|---|
| Для бренда | ST Microelectronics |
| Модель | STP10NK60ZFP (9NK60ZPF, BUZ90AF) |
| Тип | Хорошее (HQ) |
STP10NK60ZFP, Mosfet SuperMESH, N-канал, 600 В, 0.65 Ом, 10 А, TO-220FP
Технические параметры
Стру..
10NK80ZFPпласт. 10A, 800V (2SK1464)
| Характеристики | |
|---|---|
| Для бренда | ST Microelectronics |
| Модель | STP10NK80ZFP (2SK1464) |
| Тип | Хорошее (HQ) |
Технические характеристики STP10NK80ZFP
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
С..
14NK60ZFPпласт.
245 р. за 1 шт.
STP14NK60ZFP N-channel 600v - 0.45? - 13.5a to-220fp zener-protected supermeshtm power mosfet
Техн..
55NF06STP
78 р. за 1 шт.
Технические характеристики STP55NF06STP
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
С..
60NF06мет.
70 р. за 1 шт.
STP60NF06 N-канальный 60В, 60А, mosfet
Технические характеристики STP60NF06
Rds On (Max) @ Id, Vgs..
6NK60ZFPпл.(TO220F)
| Характеристики | |
|---|---|
| Для бренда | ST Microelectronics |
| Модель | STP6NK60ZFP |
| Тип | Хорошее (HQ) |
STP6NK60ZFP PBF TO-220FP
Технические параметры
Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток..
6NK90Zмет. (6NK80) 6A,900V
| Характеристики | |
|---|---|
| Для бренда | ST Microelectronics |
| Модель | STP6NK90ZFP |
| Тип | Хорошее (HQ) |
STP6NK90ZFP TO220
Технические параметры
Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В ..
9NK90ZPF (10NK60ZPF)
140 р. за 1 шт.
STP9NK90ZFP PBF TO-220FP
Технические параметры
Структура
N-канал
Максимальное напряжение сток-исток ..
Показано с 1 по 45 из 45 (всего 1 страниц)
