IRF
На странице:
IRF1010E
Характеристики | |
---|---|
Для бренда | International Rectifier |
Модель | IRF1010E |
Тип | Оригинал (Original) |
IRF1010EPBF, Nкан 60В 79 А TO220AB
Технические параметры
Структура N-канал
Максимальное напряжение ..
IRF1404
Характеристики | |
---|---|
Для бренда | International Rectifier |
Модель | IRF1404 |
Тип | Оригинал (Original) |
IRF1404PBF, N-кан 40В 162А ТО220
Технические параметры
Структура N-канал
Максимальное напряжение с..
IRF1405
Характеристики | |
---|---|
Для бренда | International Rectifier |
Модель | IRF1405 |
Тип | Оригинал (Original) |
IRF1405PBF, Nкан 55В 133А авто ТО220AB
Описание
Структура N-канал
Производитель International Rect..
IRF2805
Характеристики | |
---|---|
Для бренда | International Rectifier |
Модель | IRF2805 |
Тип | Оригинал (Original) |
IRF2805PBF, Nкан 55В 75А авто ТО220AB
Технические параметры
Структура N-канал
Максимальное напряже..
IRF2807
Характеристики | |
---|---|
Для бренда | International Rectifier |
Модель | IRF2807 |
Тип | Оригинал (Original) |
IRF2807 Полевой транзистор N-Канальный 75V, 82A, 230W, 0.013R
Технические характеристики IRF2807
..
IRF3205
Характеристики | |
---|---|
Для бренда | International Rectifier |
Единиц в одном товаре | 1 |
Модель | IRF3205 |
Тип | Оригинал (Original) |
IRF3205PBF, Nкан 55В 110А TO220AB
Описание
Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси..
IRF3710
Характеристики | |
---|---|
Для бренда | International Rectifier |
Модель | IRF3710 |
Тип | Хорошее (HQ) |
IRF3710 Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=57A@T=25C, Id=40A@T=100C, Rds=0.025 R@Vgs=10V, ..
IRF4905
Характеристики | |
---|---|
Для бренда | International Rectifier |
Модель | IRF4905 |
Тип | Оригинал (Original) |
IRF4905PBF, P кан -55В -64А ТО220
Описание
Корпус TO220AB
Технические параметры
Структура P-канал..
IRF510
Характеристики | |
---|---|
Для бренда | International Rectifier |
Модель | IRF510 |
Тип | Хорошее (HQ) |
IRF510 Транзистор полевой N-канальный 100V, 5.5A, 70W
Технические характеристики IRF510
FET Type ..
IRF5210
Характеристики | |
---|---|
Для бренда | International Rectifier |
Модель | IRF5210 |
Тип | Хорошее (HQ) |
IRF5210 Транзистор полевой P-канальный (Vds=100V, Id=40A@T=25C, Id=29A@T=100C)
Технические характер..
IRF530(A,N)
Характеристики | |
---|---|
Для бренда | International Rectifier |
Модель | IRF530(A,N) |
Тип | Хорошее (HQ) |
IRF530 Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 R@Vgs=10V, P=..
IRF540N
Характеристики | |
---|---|
Для бренда | International Rectifier |
Модель | IRF540N |
Тип | Хорошее (HQ) |
IRF540N Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=33A@T=25C, Id=23A@T=100C, Rds=0.052 R@Vgs=10V, ..
IRF620
Характеристики | |
---|---|
Для бренда | International Rectifier |
Модель | IRF620 |
Тип | Хорошее (HQ) |
IRF620 Транзистор полевой N-MOS 200V, 6A, 70W
Технические характеристики IRF620
Lead Free Status ..
IRF630(A)
Характеристики | |
---|---|
Для бренда | International Rectifier |
Модель | IRF630 |
Тип | Хорошее (HQ) |
IRF630 Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=9A@T=25C, Id=5.7A@T=100C, Rds=0.35 R@Vgs=10V, P=..
IRF630FP(FI)пласт.
Характеристики | |
---|---|
Для бренда | ST Microelectronics |
Модель | IRF630FP |
Тип | Хорошее (HQ) |
Транзистор полевой IRF 630FP
Производитель:
STM
Технические данные:
TO220F(N; 200V; 9A; 30W; 0.4 Ohm..
IRF634B
Характеристики | |
---|---|
Для бренда | International Rectifier |
Единиц в одном товаре | 1 |
Модель | IRF634B |
Тип | Хорошее (HQ) |
IRF634PBF Транзистор полевой N-канальный MOSFET (250V, 8.1A, 74W, 0.45R, TO220AB)
Технические хара..
IRF640(B,N) (КП 749А)
Характеристики | |
---|---|
Для бренда | International Rectifier |
Модель | IRF640 (КП749А) |
Тип | Хорошее (HQ) |
IRF640 Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)
Структура N-канал
Мак..
IRF644
Характеристики | |
---|---|
Единиц в одном товаре | 1 |
IRF644PBF, Транзистор, N-канал 250В 14А [TO-220AB]
Технические параметры
Структура n-канал
Максима..
IRF710
Характеристики | |
---|---|
Для бренда | International Rectifier |
Модель | IRF710 |
Тип | Хорошее (HQ) |
IRF710 Транзистор полевой N-канальный 400В, 2А
Технические характеристики IRF710
Lead Free Status..
IRF730
Характеристики | |
---|---|
Для бренда | International Rectifier |
Модель | IRF730 |
Тип | Хорошее (HQ) |
IRF730 Транзистор полевой N-канальный (Vds=400V, Id=5.5A, Rds=1.0R)
N-канальный МОП-транзистор (MOS..
IRF7309
Характеристики | |
---|---|
Для бренда | International Rectifier |
Модель | IRF7309 |
Тип | Оригинал (Original) |
IRF7309PBF, 1N/1Pкан 30B -3/4A SO8
Технические параметры
Структура NP-канал
Максимальное напряжение..
IRF7319
Характеристики | |
---|---|
Для бренда | International Rectifier |
Модель | IRF7319 |
Тип | Оригинал (Original) |
IRF7319PBF, 1N/1Pкан 30B -4.9/6.5A SO8
Технические параметры
Структура
NP-канал
Максимальное напряж..
IRF7343
Характеристики | |
---|---|
Для бренда | International Rectifier |
Модель | IRF7343 |
Тип | Хорошее (HQ) |
IRF7343 Транзистор полевой SMD P/N-MOS 55V, -3.4/4.7A, 2W
Структура NP-канал
Максимальное напряжени..
IRF7389
70 р. за 1 шт.
Технические характеристики IRF7389
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 7.3A, 5.3A
Drain to Sour..
IRF740 (TO220)
Характеристики | |
---|---|
Для бренда | International Rectifier |
Модель | IRF740 |
Тип | Оригинал (Original) |
IRF740 N-канальный полевой транзистор (Vds=400V, Id=10A@T=25C, Id=6.3A@T=100C, Rds=0.55 R@Vgs=10V, P..
IRF820
Характеристики | |
---|---|
Для бренда | International Rectifier |
Модель | IRF820 |
Тип | Хорошее (HQ) |
IRF820 Транзистор полевой N-Канальный 500V 2,5A 50W 3,0R
Технические характеристики IRF820
FET Ty..
IRF822F1
Характеристики | |
---|---|
Для бренда | International Rectifier |
Модель | IRF822F |
Тип | Хорошее (HQ) |
КП770В, (IRF822)
Технические параметры
Структура n-fet
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 50..
IRF830
Характеристики | |
---|---|
Для бренда | International Rectifier |
Модель | IRF830 |
Тип | Хорошее (HQ) |
IRF830 N-канальный Полевой транзистор (Vds=500V, Id=4.5A@T=25C, Id=2.9A@T=100C, Rds=1.5 R, P=100W, -..
IRF840(A)
Характеристики | |
---|---|
Для бренда | International Rectifier |
Модель | IRF840 |
Тип | Оригинал (Original) |
IRF840 N-канальный Полевой транзистор (Vds=500V, Id=8.0A@T=25C, Id=5.1A@T=100C, Rds=0.85 R, P=125W, ..
IRF9530(N)
Характеристики | |
---|---|
Для бренда | Samsung |
Модель | IRF9530 |
Тип | Хорошее (HQ) |
IRF9530 Транзистор полевой P-MOS 100V, 12A, 75W
Структура P-канал
Максимальное напряжение сток-исто..
IRF9540N
Характеристики | |
---|---|
Для бренда | International Rectifier |
Модель | IRF9540N |
Тип | Хорошее (HQ) |
IRF9540N P-канальный Полевой транзистор (Vds=100V, Id=23A@T=25C, Id=16A@T=100C, Rds=0.117 R, P=140W)..
IRF9Z24N
Характеристики | |
---|---|
Для бренда | International Rectifier |
Модель | IRF9Z24N |
Тип | Хорошее (HQ) |
IRF9Z24N Транзистор полевой P-канальный MOSFET (55V, 12A, 45W)
Технические характеристики IRF9Z24N
..
IRFBC30 (BE30; BC40; BUZ90A)
Характеристики | |
---|---|
Для бренда | ST Microelectronics |
Модель | IRFBC30 |
Тип | Хорошее (HQ) |
IRFBC30, Nкан 600В 3.6А TO220
Описание
Структура N-канал
Производитель International Rectifier
Макси..
IRFD110
Характеристики | |
---|---|
Для бренда | Vishay |
Модель | IRFD110 |
Тип | Оригинал (Original) |
IRFD110 PDIP4 (HD1)
Технические параметры
Структура
N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В..
IRFD123
Характеристики | |
---|---|
Для бренда | Vishay |
Модель | IRFD123 |
Тип | Оригинал (Original) |
IRFD123 Транзистор полевой
Полярность N
Каналов,шт 1
VDSS,В 100
RDS(ON) 10 В,мОм 270
ID,А 1.3
PD,Вт..
IRFP064N
Характеристики | |
---|---|
Для бренда | International Rectifier |
Модель | IRFP064N |
Тип | Хорошее (HQ) |
Описание
N-канал 55V 110A (Tc) 200W (Tc) сквозное отверстие TO-247AC
Технические параметры
Структура..
IRFP23N50L PBF
Характеристики | |
---|---|
Для бренда | International Rectifier |
Модель | IRFP23N50L PBF |
Тип | Хорошее (HQ) |
IRFP23N50LPBF 500v,0,190R,170ns,23A
Описание:
RF транзистор 500V Single N-Channel HEXFET Power MOSF..
IRFP240(N) (BUZ350)
Характеристики | |
---|---|
Для бренда | International Rectifier |
Модель | IRFP240 |
Тип | Хорошее (HQ) |
IRFP240 Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W
ехнические характеристики IRFP240
Lea..
IRFP260N
Характеристики | |
---|---|
Для бренда | International Rectifier |
Модель | IRFP260N |
Тип | Оригинал (Original) |
Технические параметры
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 200
Максимальный то..
IRFP32N50K
Характеристики | |
---|---|
Для бренда | International Rectifier |
Модель | IRFP32N50K |
Тип | Оригинал (Original) |
Маркировка IRFP32N50K
Описание Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)typ.=0.135ohm, Id=32A)
Функционал Диск..
IRFP450(A)
Характеристики | |
---|---|
Для бренда | International Rectifier |
Модель | IRFP450 |
Тип | Хорошее (HQ) |
IRFP450 Транзистор полевой N-MOS 500V, 14A, 190W
Мощный N-канальный MOSFET транзистор.
Основные пар..
IRFP460(LC)
Характеристики | |
---|---|
Для бренда | International Rectifier |
Модель | IRFP460 |
Тип | Оригинал (Original) |
IRFP460A Транзистор полевой N-MOS 500V, 20A, 280W
N-канальный МОП ПТ
Uси=500 В; Rси=0.27 Ом; Iс=20 ..
IRFP9240
Характеристики | |
---|---|
Для бренда | International Rectifier |
Модель | IRFP9240 |
Тип | Хорошее (HQ) |
IRFP9240, Pкан -200В -12А TO247
Технические параметры
Структура
P-канал
Максимальное напряжение сток..
IRFPS40N50L
Характеристики | |
---|---|
Для бренда | International Rectifier |
Модель | IRFPS40N50L |
Тип | Хорошее (HQ) |
Технические характеристики IRFPS40N50L
Lead Free Status / RoHS Status Contains lead / RoHS non-com..
IRFR024N
Характеристики | |
---|---|
Для бренда | International Rectifier |
Модель | IRFR024N |
Тип | Хорошее (HQ) |
IRFR024PBF (IRFR024TRPBF), Транзистор, N-канал 60В 14А [D-PAK]
Технические параметры
Структура n-ка..
IRFU220B
Характеристики | |
---|---|
Для бренда | International Rectifier |
Модель | IRFU220B |
Тип | Хорошее (HQ) |
Маркировка IRFU220B
Производитель Fairchild Semiconductor
Комментарий 200v N-channel Mosfet 4.6A..
IRFU9024N
Характеристики | |
---|---|
Для бренда | International Rectifier |
Модель | IRFU9024N |
Тип | Хорошее (HQ) |
P-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=11A@T=25C, Id=8A@T=100C, Rds=0.175 R (max), P=38W, -55 t..
IRFZ24N
Характеристики | |
---|---|
Для бренда | International Rectifier |
Модель | IRFZ24N |
Тип | Хорошее (HQ) |
IRFZ24N
Транзистор полевой N-MOS 55V, 17A, 45W
Технические характеристики IRFZ24N
Lead Free Stat..
IRFZ34N
Характеристики | |
---|---|
Для бренда | International Rectifier |
Модель | IRFZ34N |
Тип | Хорошее (HQ) |
Транзистор IRFZ34N
Технические характеристики
Группа продукции в каталоге: MOSFET транзисторы
..
IRFZ44N
Характеристики | |
---|---|
Для бренда | International Rectifier |
Модель | IRFZ44N |
Тип | Оригинал (Original) |
IRFZ44NPBF, Nкан 55В 41А TO220
Описание
Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В ..
IRFZ46(N)
Характеристики | |
---|---|
Для бренда | International Rectifier |
Модель | IRFZ46N |
Тип | Хорошее (HQ) |
RFZ46N Транзистор полевой N-MOS 55V, 53A, 107W
Конфигурация и полярность N
Максимальное напряжение ..
IRFZ48N
Характеристики | |
---|---|
Для бренда | International Rectifier |
Модель | IRFZ48NPBF |
Тип | Хорошее (HQ) |
IRFZ48NPBF, Nкан 55В 64А TO220AB
Описание
Корпус TO220AB
Технические параметры
Структура N-канал
Мак..
IRG4BC40F
Характеристики | |
---|---|
Для бренда | International Rectifier |
Модель | IRG4BC40F |
Тип | Хорошее (HQ) |
IRG4BC40F
Транзистор IGBT модуль единичный 600V, 49A, 160W
Технические характеристики IRG4BC40F
..
IRG4PH50UD
Характеристики | |
---|---|
Для бренда | International Rectifier |
Модель | IRG4PH50UD |
Тип | Хорошее (HQ) |
IRG4PH50UD
Транзистор IGBT модуль единичный
Напряжение К-Э максимальное 1.2 кВ
Ток коллектора макс..
IRGP35B60PD
Характеристики | |
---|---|
Для бренда | International Rectifier |
Модель | IRGP35B60PD |
Тип | Хорошее (HQ) |
IRGP35B60PD
Транзистор IGBT модуль единичный
Технические характеристики IRGP35B60PD
Power - Max 3..
IRGP4068D
Характеристики | |
---|---|
Для бренда | International Rectifier |
Модель | IRGP4068D |
Тип | Хорошее (HQ) |
IRGP4068D IGBT транзистор 600В, 330Вт
Предельно допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce) - 60..
IRGP50B60PD1
Характеристики | |
---|---|
Для бренда | International Rectifier |
Модель | IRGP50B60PD1 |
Тип | Хорошее (HQ) |
IRGP50B60PD1 Транзистор IGBT модуль единичный Nканал + диод 600В, 75А, 150 кГц
Структура N-канал+ди..
IRGP50B60PD1-ER(с диодом)
Характеристики | |
---|---|
Для бренда | International Rectifier |
Модель | IRGP50B60PD1-ER |
Тип | Хорошее (HQ) |
Технические характеристики
Группа продукции в каталоге: IGBT транзисторы
Корпус: TO-247-3
Вес брутт..
IRL2505N(L)
Характеристики | |
---|---|
Для бренда | International Rectifier |
Модель | IRL2505N |
Тип | Хорошее (HQ) |
IRL2505, N-канал 55В 104А logic TO220AB
Наименование: IRL2505, N-канал 55В 104А logic TO220AB
Группа..
IRL3705N
Характеристики | |
---|---|
Для бренда | International Rectifier |
Модель | IRL3705N |
Тип | Хорошее (HQ) |
Транзистор IRL3705N
55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package; A IRL3705N with..
IRL3803N
Характеристики | |
---|---|
Для бренда | International Rectifier |
Модель | IRL3803N |
Тип | Хорошее (HQ) |
IRL3803 Транзистор полевой N-MOS 30V, 140A, 200W (Logic-Level)
Структура N-канал
Максимальное напря..
IRL520
Характеристики | |
---|---|
Для бренда | International Rectifier |
Модель | IRL520 |
Тип | Хорошее (HQ) |
Транзистор IRL520
Технические характеристики IRL520
Gate Charge (Qg) @ Vgs 12nC @ 5V
Vgs(th) (Max..
IRL540
131 р. за 1 шт.
Технические характеристики IRL540N
FET Feature Logic Level Gate
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Ox..
Показано с 1 по 63 из 63 (всего 1 страниц)