Пожалуйста примените фильтр:
---
ГТ328
ГТ329Б
ГТ404
ГТ905А
ГТ906А
КП103 (2N3329)
КП303Е
КП305 (MFE3004, 2N4223)
КП809А-2
КП902А
КТ3102 (2N3904)
КТ3107
КТ3109
КТ3126А
КТ3127А
КТ313
КТ3157А (2SA1320, 2SA821, BF423)
КТ501К
КТ502
КТ503
КТ606А
КТ611БМ
КТ626А
КТ805АМ
КТ807Б
КТ814Г (BD140)
КТ816Г (BD238)
КТ817Г
КТ825Д
КТ826А
КТ827А
КТ835А
КТ837
КТ844А
КТ848А
КТ852Б
КТ855А
КТ857А
КТ858А (2SC2335 мет)
КТ859
КТ903Б
КТ973А
На странице:
100
25
50
75
100
По умолчанию
Наименование (А -> Я)
Наименование (Я -> А)
Цена (по возрастанию)
Цена (по убыванию)
Рейтинг (по убыванию)
Рейтинг (по возрастанию)
Модель (А -> Я)
Модель (Я -> А)
В наличии: 1 шт.
ГТ328
Характеристики транзистора ГТ328Б
Структура p-n-p
Максимально допустимое (импульсное) напря..
В наличии: 40 шт.
ГТ329
Основные технические параметры ГТ329Б:
ГТ329Б
Транзисторы ГТ329Б германиевые планарные структуры n-..
В наличии: 9 шт.
ГТ341
1Т341А
Транзисторы 1Т341А германиевые планарные структуры n-p-n усилительные с нормированным коэффиц..
В наличии: 38 шт.
ГТ403
ГТ403Б
Транзисторы ГТ403Б германиевые сплавные структуры p-n-p усилительные.
Предназначены для приме..
В наличии: 3 шт.
ГТ703
Основные технические параметры ГТ703Б:
ГТ703Б
Транзисторы германиевые сплавные структуры p-n-p усил..
В наличии: 9 шт.
ГТ905 А
Основные технические параметры ГТ905А:
ГТ905А
Транзисторы ГТ905А германиевые диффузионно-сплавные с..
В наличии: 13 шт.
ГТ906 А
Основные технические параметры ГТ906А:
ГТ906А
Транзисторы ГТ906А германиевые диффузионно-сплавные с..
В наличии: 46 шт.
КП103
Полевой транзистор КП103..
В наличии: 50 шт.
КП303Е
Описание
Структура N-FET
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 25
Максимальный ток сток-исток при..
В наличии: 9 шт.
КП305
Описание
Структура N-FET
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 15
Максимальный ток сток-исток при..
В наличии: 9 шт.
КП306А
КП306А
Транзисторы КП306А кремниевые диффузионно-планарные полевые с двумя изолированными затворами,..
В наличии: 8 шт.
КП313Б
КП313Б
Транзисторы КП313Б кремниевые диффузионно-планарные полевые с изолированным затвором и канало..
В наличии: 2 шт.
КП809 А
Основные технические параметры КП809А-2:
КП809А-2
Транзисторы КП809А-2 кремниевые полевые эпитаксиа..
В наличии: 5 шт.
КП902, 903
Основные технические параметры КП902А:
КП902А
Транзисторы кремниевые планарные полевые с изолирован..
В наличии: 15 шт.
КТ104
Условные обозначения электрических параметров биполярного транзистора КТ104А
Обозначение: Параметр
..
В наличии: 466 шт.
КТ203
Описание
Структура PNP
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс)..
В наличии: 81 шт.
КТ209
Транзистор КТ209 - усилительный, эпитаксиально-планарный, кремниевый, структуры p-n-p. Нормируется п..
В наличии: 24 шт.
КТ301
Основные технические параметры КТ301Е:
КТ301Е
Транзисторы КТ301Е кремниевые планарные структуры n-p..
В наличии: 44 шт.
КТ306
Основные технические параметры КТ306А:
КТ306А
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структ..
В наличии: 3 шт.
КТ3102 (2N3904)
Описание
Структура NPN
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс..
В наличии: 30 шт.
КТ3107
КТ3107 — тип кремниевого биполярного транзистора, p-n-p проводимости, усилительный высокочастотный м..
В наличии: 21 шт.
КТ3109
Основные технические параметры КТ3109А:
КТ3109А
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные стру..
В наличии: 11 шт.
КТ3117
Транзистор: кт3117а(1) кт3117б
Структура n-p-n n-p-n
Pк max 0,3 0,3 Вт
Uкб..
В наличии: 42 шт.
КТ3126
Основные технические параметры КТ3126А:
КТ3126А
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные стру..
В наличии: 62 шт.
КТ3127
Характеристики транзистора КТ3127А
Структура p-n-p
Максимально допустимое (импульсное) напр..
В наличии: 20 шт.
КТ313
Описание
Структура PNP
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс)..
В наличии: 2 шт.
КТ3157 (BF423)
КТ3157А (2SA1320) (2SA821), Транзистор P-N-P 250В 0.03А 0.2Вт 60Мгц TO92 (КТ-26)
Описание
Структура..
В наличии: 18 шт.
КТ316
Характеристики транзистора КТ316А
Структура n-p-n
Максимально допустимое (импульсное) напря..
В наличии: 19 шт.
КТ337
Технические параметры
Структура pnp
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи ..
В наличии: 7 шт.
КТ343
КТ343 (кремниевый транзистор, p-n-p)..
В наличии: 80 шт.
КТ345
КТ345Б Транзисторы высокочастотные, кремниевые, маломощные, структуры p-n-p универсальные,
Использу..
В наличии: 5 шт.
КТ347
Основные технические параметры КТ347А:
КТ347А
Транзисторы КТ347А кремниевые эпитаксиально-планарные..
В наличии: 28 шт.
КТ349
Основные технические параметры КТ349Б:
КТ349Б
Транзисторы КТ349Б кремниевые эпитаксиально-планарные..
В наличии: 34 шт.
КТ350
Основные технические параметры КТ350А:
КТ350А
Транзистор КТ350А кремниевый эпитаксиально-планарный ..
В наличии: 65 шт.
КТ358
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: Кремний
Структура пол..
В наличии: 511 шт.
КТ361
Технические параметры
Структура PNP
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи ..
В наличии: 91 шт.
КТ372
Основные технические параметры КТ372А:
КТ372А
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структ..
В наличии: 14 шт.
КТ501
Характеристики транзистора КТ501К
Структура p-n-p
Максимально допустимое (импульсное) напря..
В наличии: 88 шт.
КТ502Е
Технические параметры
Структура pnp
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи..
В наличии: 3 шт.
КТ503Е
Характеристики транзистора КТ503Г:
Структура n-p-n
Максимально допустимое (импульсное) напряжение к..
В наличии: 6 шт.
КТ601 мет.
КТ601А
Транзисторы КТ601А кремниевые диффузионные структуры n-p-n усилительные.
Предназначены для пр..
В наличии: 1 шт.
КТ604 АМ
Основные технические параметры КТ604АМ:
КТ604АМ
Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры n-p-..
В наличии: 7 шт.
КТ605 АМ
Основные технические параметры КТ605АМ:
КТ605АМ
Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры n-p-..
В наличии: 34 шт.
КТ606 А
Основные технические параметры КТ606А:
КТ606А
Транзисторы КТ606А кремниевые эпитаксиально-планарные..
В наличии: 22 шт.
КТ611
Основные технические параметры КТ611БМ:
КТ611БМ
Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры n-p-..
В наличии: 5 шт.
КТ626
Основные технические параметры КТ626А:
КТ626А
Транзисторы КТ626А кремниевые эпитаксиально-планарные..
В наличии: 4 шт.
КТ629А-2
Технические параметры
Структура pnp
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи ..
В наличии: 4 шт.
КТ639А
Технические параметры
Структура pnp
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой це..
В наличии: 20 шт.
КТ801А
КТ801А
Транзисторы КТ801А кремниевые сплавно-диффузионные структуры n-p-n переключательные.
Предназн..
В наличии: 11 шт.
КТ805 АМ
КТ805АМ,БМ,ИМ Транзистор NPN, среднечастотный, большой мощности, TO-220 (КТ-28)
Описание
Структура ..
В наличии: 161 шт.
КТ807
Характеристики транзистора КТ807Б
Структура n-p-n
Максимально допустимое (импульсное) напря..
В наличии: 1 шт.
КТ8136А
Характеристики транзистора КТ8136А
Структура n-p-n
Максимально допустимое (импульсное) напр..
В наличии: 2 шт.
КТ814
КТ814Г (BD140), Транзистор PNP, низкочастотный, большой мощности, TO-126 (КТ-27)
Описание
Структура..
В наличии: 3 шт.
КТ816Г
КТ816Г (BD238), Транзистор PNP, низкочастотный, большой мощности, TO-126 (КТ-27)
Описание
Структура..
В наличии: 58 шт.
КТ817
КТ817Г (BD237), Транзистор N-P-N 100В 3А 25Вт 3Мгц TO126
Описание
Структура NPN
Макс. напр. к-э при..
В наличии: 1 шт.
КТ825Г
Структура PNP
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 60
Мак..
В наличии: 18 шт.
КТ826 А
Технические параметры
Структура NPN
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи ..
В наличии: 4 шт.
КТ827 А
Основные технические параметры КТ827А:
КТ827А
Транзисторы кремниевые эпитаксиальные мезапланарные с..
В наличии: 54 шт.
КТ835
Характеристики транзистора КТ835А
Структура p-n-p
Максимально допустимое (импульсное) напря..
В наличии: 108 шт.
КТ837
Структура p-n-p
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 45 В
Макси..
В наличии: 1 шт.
КТ844 А
Основные технические параметры КТ844А:
КТ844А
Транзисторы КТ844А кремниевые эпитаксиально-планарные..
В наличии: 5 шт.
КТ848 А (КТ 897А)
Основные технические параметры КТ848А:
КТ848А
Транзисторы КТ848А кремниевые мезапланарные структуры..
В наличии: 5 шт.
КТ852
Характеристики транзистора КТ852Б
Структура p-n-p
Максимально допустимое (импульсное) напря..
В наличии: 9 шт.
КТ855
Характеристики транзистора КТ855А
Структура p-n-p
Максимально допустимое (импульсное) напря..
В наличии: 7 шт.
КТ857
Характеристики транзистора КТ857А
Структура n-p-n
Максимально допустимое (импульсное) напря..
В наличии: 9 шт.
КТ858 (2SC2335 мет)
Основные технические параметры КТ858А:
КТ858А
Транзистор КТ858А кремниевый эпитаксиально-планарный ..
В наличии: 4 шт.
КТ859
Описание
Структура NPN
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс)..
В наличии: 8 шт.
КТ903 А
Основные технические параметры КТ903Б:
КТ903Б
Транзисторы КТ903Б кремниевые мезапланарные структуры..
В наличии: 3 шт.
КТ9115
Основные технические параметры КТ9115А:
КТ9115А
Транзисторы КТ9115А кремниевые эпитаксиально-планар..
В наличии: 2 шт.
КТ933А
КТ933А
Транзисторы КТ933А, КТ933Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные.
П..
В наличии: 1 шт.
КТ935А
Транзисторы КТ935А кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные.
Предназн..
В наличии: 6 шт.
КТ940 (BF459)
Основные технические параметры КТ940А:
КТ940А
Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры n-p-n ..
В наличии: 1 шт.
КТ943Г
Транзисторы КТ943 - кремниевые, мощные, высокочастотные усилительные, структуры - n-p-n.
Корпус плас..
В наличии: 2 шт.
КТ969
КТ969А, Транзистор NPN 250В 0.1А 6Вт [TO126]
Технические параметры
Структура npn
Макс. напр. к-б пр..
В наличии: 8 шт.
КТ973
Основные технические параметры КТ973А:
КТ973А
Транзисторы КТ973А кремниевые эпитаксиально-планарные..
В наличии: 3 шт.
МП25,37-42
МП21Е
Транзисторы МП21Е германиевые сплавные p-n-p переключательные низкочастотные маломощные.
Предн..
В наличии: 11 шт.
П214А
П214А
Транзисторы П214А германиевые сплавные структуры p-n-p универсальные.
Предназначены для примен..
В наличии: 32 шт.
П214В
П214В
Транзисторы П214В германиевые сплавные структуры p-n-p универсальные.
Предназначены для примен..
В наличии: 4 шт.
П214Г
П214Г
Транзисторы П214Г германиевые сплавные структуры p-n-p универсальные.
Предназначены для примен..
В наличии: 7 шт.
П215
П215
Транзисторы П215 германиевые сплавные структуры p-n-p универсальные.
Предназначены для применен..
В наличии: 8 шт.
П216
П216
Транзисторы П216 германиевые сплавные структуры p-n-p универсальные.
Предназначены для применен..
В наличии: 5 шт.
П217Г
П217Г
Транзисторы П217Г германиевые сплавные структуры p-n-p универсальные.
Предназначены для примен..
В наличии: 2 шт.
П601АИ
Транзистор п601аи p-n-p, 30в, 1.5А, 0.5Вт, h21э 40…100 , 20МГц, Тmax-50…+60 биполярный, германий.
Д..
В наличии: 4 шт.
П605
П605
Транзисторы П605 германиевые структуры p-n-p универсальные.
Предназначены для применения в усил..
В наличии: 2 шт.
П607
П607
Транзисторы П607 германиевые структуры p-n-p универсальные.
Предназначены для применения в усил..
В наличии: 6 шт.
П608
П608
Транзисторы П608 германиевые структуры p-n-p универсальные.
Предназначены для применения в усил..
В наличии: 3 шт.
П701
П701
Транзисторы П701 кремниевые сплавно-диффузионные структуры n-p-n усилительные низкочастотные.
П..
Транзисторами называют устройства, имитирующие основное свойство транзистора – изменять сигнал между двумя различными состояниями в тот момент, когда изменяется сигнал на управляющем электроде. Транзисторы нашли широкое применение, сегодня они применяются в усилительных схемах, электронных ключах, генераторах сигналов, а также в качестве активных элементов в переключательных и усилительных каскадах. Приобрести отечественные транзисторы сегодня можно у нас. Доступные цены и высокое качество – вот что в первую очередь характеризует радиоэлементы, представленные в нашем магазине.