Транзистор IRF830
Цена |
98 р.
|
|
Для бренда | International Rectifier |
Модель | IRF830 |
Тип | Хорошее (HQ) |
Цена в бонусных баллах: | 98 |
В наличии | 4 шт. |
Отправка заказов производится со склада в
Ростовкой области.
- Стоимость доставки по Тарифам ТК СДЭК (от 250 рублей, сроки - 3-5 дней).
- Стоимость доставки заказа Почтой России ( 300 рублей, сроки - 5-8 дней).
- Бесплатная доставка (на заказы от 2000 рублей, сроки - 3-8 дней).
- Самовывоз: г. Каменск – Шахтинский, Проспект Карла-Маркса, д. 60, сроки - 1 день.
Транзистор IRF830
IRF830 N-канальный Полевой транзистор (Vds=500V, Id=4.5A@T=25C, Id=2.9A@T=100C, Rds=1.5 R, P=100W, -55 to +150C).N-канальный МОП-транзистор (MOSFET) с обратным диодом для работы в ключевом режиме.
Основные характеристики IRF830:
Максимальный ток стока 4,5А
Максимальное напряжение сток-исток 500V
Сопротивление сток-исток (откр.) < 1,5 om
Максимальная мощность рассеивания 100W
Допустимое напряжение на затворе +-20V
Пороговое напряжение на затворе +2..+4V
Ток утечки затвора < 0,1 uA
Ток утечки стока (закр.) < 25 uA
Время включения/выключения 8/42nS (тип.)
Время восстановления диода 450nS (тип.)
Диапазон рабочих температур -55..+150oC
Аналоги КП753А,2SK2661
Технические характеристики IRF830
Lead Free Status / RoHS Status Contains lead / RoHS non-compliant
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5 Ohm @ 2.7A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 500V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 4.5A
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 38nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 610pF @ 25V
Power - Max 74W
Тип монтажа Выводной
Корпус (размер) TO-220-3
Корпус TO-220AB
Серия PowerMESH™
Написать отзыв
Зарегистрируйся, оставляй отзывы о товаре, зарабатывай бонусы!Ваше Имя:
Ваш отзыв: Внимание: HTML не поддерживается! Используйте обычный текст.
Оценка: Плохо Хорошо